Interface physique/électronique et co-conception

La réduction à l’échelle nanométrique de la taille des transistors, suivant la loi de Moore, a permis l’intégration de milliards de transistors par puce, ainsi qu’une augmentation prodigieuse des puissances de calcul et le développement de circuits intégrés (IC) complexes. Cette diminution d’échelle se fait à présent plus lentement et ne saurait se poursuivre indéfiniment, la dimension des transistors approchant de sa limite fondamentale. Le ralentissement de la loi de Moore est compensé par un changement de paradigme dans l’industrie du semi-conducteur : le “More than Moore”, une diversification des micro- et nano-technologies silicium (Fig. 1).

La poursuite du “More Moore”, i.e. la réduction des dimensions, aboutit à l’augmentation de « l’intelligence » (la mémoire, la puissance de calcul) des systèmes sur puce. Le “More than Moore”, i.e. la diversification fonctionnelle, permet à ces systèmes d’interagir avec leur environnement ou leur utilisateur par le biais d’un échange entre différents domaines d’énergie. Des exemples typiques de dispositifs “More than Moore” sont : les capteurs et les actionneurs M/NEMS, les antennes RF, les LEDs, les lasers, les photodiodes, les imageurs, les afficheurs et tous les types de récupérateurs d’énergie.

Ce thème regroupe la recherche effectuée par l’équipe visant au développement d’architectures électroniques, de flots de conception, d’outils de modélisation spécifiques pour l’intégration de dispositifs “More than Moore” dans des SoCs ou des SiPs.

Figure 1 : More-Moore et More-than-Moore (source : ITRS “More-than-Moore White Paper”, W. Arden et al.)
More Than More

 

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