Logiciel Triple_Junction

Le logiciel Triple_Junction permet de simuler les caractéristiques J(V) d’un dispositif multi-jonction comportant deux ou trois jonctions. Le modèle d’un tel dispositif est présenté sur la Figure 1.

Figure 1 : Modèle d’un dispositif à triple jonction

Chaque jonction est représentée par une source de densité de courant J_SCi en parallèle avec deux diodes, D_1i et D_2i, et une résistance ‘shunt’ R_Pi, le tout en série avec une résistance R_Si, où i est l’indice de la jonction considérée. En outre, il est possible de faire intervenir des résistances de fuite soit vers le point haut, R_li, soit vers la masse, R_gi. Les calculs sont faits en résolvant l’équation pour chaque jonction

où les J_sdi sont les densités de courants de saturation de chacune des diodes et m_i leur facteur de qualité. T est la température, prise égale à 300 K, et k_b la constante de Boltzmann.

Il est ainsi possible de tracer des caractéristiques J(V) lorsqu’une seule jonction, ou bien deux ou trois jonctions sont éclairées. La Figure 2(a) montre les caractéristiques J(V) de chacune des jonctions d’une triple jonction sous AM1.5G, chaque jonction étant prise isolément. La Figure 2(b) montre la caractéristique J(V) de l’ensemble du dispositif sous AM1.5G.


Figure 2.(a) Caractéristiques J(V) de chacune des jonctions prise séparément d'une triple jonction sous AM1.5G	Figure 2.(b) Caractéristiques J(V) de l'ensemble du dispositif sous AM1.5G.